韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入

据韩国媒体报道，三星电子与 SK 海力士正重新评估下一代高带宽存储器（HBM）采用混合键合（Hybrid Bonding）技术的时间。由于 HBM 对厚度缩减及散热性能提升的需求有所下降，市场预计该技术导入时间可能较此前预期进一步推迟。同时，两家公司正分别开发 HPB 和 iHBM 等新型散热方案，并计划应用于 HBM5 产品。不过，业内认为，随着未来 HBM I/O 数量持续提升，混合键合仍将是中长期的重要技术路线。